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Shoso Shingubara
代表者：新宮原 正三（Shoso Shingubara）
会社名：ナノめっき研究所
設立日：2026年2月5日
事業の概要：半導体集積回路（LSI）の微細配線や微細構造への金属の無電解及び電解めっき技術、及び湿式陽極酸化技術などによるナノ構造形成技術などに関するコンサルタント、アドバイザーなどを行います。また、前述の技術分野に関する講演、講習会開催、技術普及活動、などを行います。________ Sorry, this homepage is under construction!! _____ ________e-mail: nanomekki@zeus.eonet.ne.jp __________ Phone: 070-2303-1217
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技術解説論文リスト
・表面技術 2025年76巻 12号 p.570-576.
「無電解めっきによる微細配線応用に向けたRu膜の形成と評価」、 関西大学システム理工学部 新宮原正三
•表面技術 2024年(75巻) 11号p.478-482
「3次元実装TSVに向けた無電解めっきバリア膜形成とその上の直接無電解Cuめっき」、
•電子情報通信学会誌（2011年）J94-C巻, no.11, pp. 386-393
「金ナノ粒子触媒を用いた無電解バリア／シード層のCu-TSVへの応用」 、関西大学システム理工学部 新宮原正三
•表面技術誌58巻8号450-454. (2007年)
「無電解銅めっきによる微細ホールのボトムアップ堆積」、関西大学システム理工学部 新宮原正三
