About

ナノめっき研究所　
代表者　新宮原正三（しんぐうばら　しょうそう, Shoso Shingubara）

•1985年　東京工業大学博士課程修了、理学博士
•1985ー1990年　東芝ULSI研究所、LSI微細金属配線のEM・SM信頼性技術に従事
•1990年―2005年　広島大学工学部電子物性大講座　助教授
•2005年―2026年3月　　関西大学システム理工学部機械工学科教授
　　　　無電解めっきによるCo合金バリアメタル、低抵抗Ruめっき技術等を開発
　　　　抵抗変化メモリのニューロ素子応用
・2026年４月ー　関西大学名誉教授、関西大学先端技術推進機構研究員

1990年、　国際固体素子材料コンファレンス（SSDM）　Best Paper 賞
電気化学会電子材料委員会顧問、応用物理学会　Fellow、米国Electrochemical Society シンポジウム組織委員、エレクトロ二クス実装学会会員、表面技術協会会員