•表面技術　2025年76巻　12号　p.570-576.
　　「無電解めっきによる微細配線応用に向けたRu膜の形成と評価」、　関西大学システム理工学部　　新宮原正三
•表面技術　2024年(75巻) 11号p.478-482
　「3次元実装TSVに向けた無電解めっきバリア膜形成とその上の直接無電解Cuめっき」、　
     関西大学システム理工学部　　新宮原正三
•表面技術　2022年3月　「シリコン基板湿式エッチング及びAl陽極酸化を用いた微細構造形成」
　　関西大学システム理工学部、　　清水智弘、新宮原正三
•めっき技術　2－1　2019年
「無電解銅めっき及びCo合金バリア膜を用いた微細ホールへの電極形成技術」、関西大学システム理工学部　　新宮原正三
・技術情報協会　研究開発リーダー　10巻5号、p.4-8 (2013年）
　　「ナノホールテンプレートを用いた半導体及び金属ナノワイヤの作成と応用」　新宮原正三
・精密工学会誌　80巻5号（2014年）p.439-442.
「自己組織化アルミナ・ナノホール配列の形成と垂直配列シリコンナノワイヤの形成」  関西大学、清水智弘、新宮原正三
•電子情報通信学会誌（2011年）J94-C巻, no.11, pp. 386-393
  「金ナノ粒子触媒を用いた無電解バリア／シード層のCu-TSVへの応用」 、関西大学　　新宮原正三
•表面技術誌58巻8号450-454. (2007年)
「無電解銅めっきによる微細ホールのボトムアップ堆積」、関西大学　　新宮原正三