無電解バリアメタルめっき①

無電解バリアメタルについて

3次元集積におけるTSV（Through-Silicon Via）への低コストな金属埋め込み堆積技術の需要が高まっています。私たちはPdナノ粒子触媒を用い、無電解CoWBめっきによって高アスペクト比TSVへの無電解バリア膜の形成と、その上への電解ＣｕめっきによるＴＳＶ埋め込み形成を行いました。
　　またさらに、無電解めっきによるＣｏＭｎ合金の形成に成功しました。還元剤としてヒドラジン水和物を用いることで、非常に低い電気抵抗率のCo合金を得ることが可能です。CoMnではCoWBやCoBよりもCu拡散に対する優れたバリア特性があることが分かりました。

詳しくは以下の論文を参照してください

・表面技術　2024年(75巻) 11号p.478-482
　「3次元実装TSVに向けた無電解めっきバリア膜形成とその上の直接無電解Cuめっき」、　
関西大学システム理工学部　　新宮原正三

・MES２０２５　4D3-0, pp.110-113 (2025)
「無電解めっきCoMnによるTSV対応拡散バリア膜形成技術」
　久場駿祐、清水智弘、伊藤健、新宮原正三、

Co合金バリアメタルのTSV内部への無電解めっき堆積