ナノめっき研究所 (NANO PLATING LABORATORY)
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ナノめっき研究所 
代表者 新宮原正三(しんぐうばら しょうそう,  Shoso Shingubara)

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​略歴

•1985年 東京工業大学博士課程修了、理学博士「渦流の自己組織化」
​•1985ー1990年 東芝ULSI研究所、LSI微細金属配線のEM・SM信頼性技術に従事
•1990年―2005年 広島大学工学部電子物性大講座、先端物質科学研究科 助教授/准教授
•2005年―2026年3月  関西大学システム理工学部機械工学科教授
    研究内容: 無電解めっきによるCo合金バリアメタル、Cuのボトムアップ堆積
          低抵抗Ru無電解めっき技術等の開発
          抵抗変化メモリのニューロ素子応用検討、AAOを用いた磁性体ナノワイヤ配列の形成と機能化
・2026年4月ー 関西大学名誉教授、関西大学先端技術推進機構研究員
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1990年、 国際固体素子材料コンファレンス(SSDM) Best Paper 賞
電気化学会電子材料委員会顧問、応用物理学会 Fellow、米国Electrochemical Society シンポジウム組織委員、
エレクトロ二クス実装学会会員、表面技術協会会員

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