無電解ボトムアップめっき
PEG（分子量4000程度）、及びSPSをそれぞれ適量添加すると、無電解銅めっきにおいて強い抑止効果を得ることができます。直径１μm程度以下、深さ5μm程度の微細な接続孔（ビアホール）においては、ホールの上部から底部にかけて、抑止剤の濃度勾配が発生します。これは銅の成膜中に、銅膜内部に抑止剤が取り込まれるためです。そのため、ホール上部よりも底部の方が抑止剤濃度が小さくなり、Cu堆積速度がホール底部の方が上部よりも大きくなります。この効果により、ホールへのCuのボトムアップ堆積が可能となるのです。
PEGとSPSの組み合わせ以外にも、他の抑止剤の選択もあり得ます。
詳しくは、以下の論文を参照してください。
・S.Shingubara, Z.Wang, O.Yaegashi, R.Obata, H.Sakaue, and T.Takahagi,
Electrochem. Solid-State Letters, 7 (2004) C78-C80.
・Z. Wang, O. Yaegashi, H. Sakaue, T. Takahagi, and S. Shingubara
J of Electrochemical Society, 151 (12) , C781-C785 (2004).
・新宮原正三、王増林 表面技術 58巻8号 pp450-454.（2007）
PEGとSPSの組み合わせ以外にも、他の抑止剤の選択もあり得ます。
詳しくは、以下の論文を参照してください。
・S.Shingubara, Z.Wang, O.Yaegashi, R.Obata, H.Sakaue, and T.Takahagi,
Electrochem. Solid-State Letters, 7 (2004) C78-C80.
・Z. Wang, O. Yaegashi, H. Sakaue, T. Takahagi, and S. Shingubara
J of Electrochemical Society, 151 (12) , C781-C785 (2004).
・新宮原正三、王増林 表面技術 58巻8号 pp450-454.（2007）