無電解バリアメタルめっき２：Cu拡散バリア性
微細配線材料として広く使用されるCu（銅）は、シリコン基板やSiO2膜中に熱処理工程や電界印加時に拡散しやすい性質がある。Cuの拡散が起きると、PN接合の劣化や、絶縁破壊などが起き易くなるため、信頼性上大きな問題となる。そこで、配線層間絶縁膜であるCVD-SiO2膜などでは、Cu配線材料とSiO2との間に薄い拡散バリア膜を必要とする。従来はスパッタ法によるTaNやTa膜、及びTiN膜などがバリア膜として一般に使用されてきた。配線の3次元化に伴って、縦方向のCu配線（ビアホール、TSV）の微細化・高アスペクト比化が進行し、微細ホール内部への均一堆積性に優れた薄膜堆積法が望まれる。そこで、私達は無電解めっきを用いた拡散バリア膜の研究・開発を行ってきました。本ページでは、Cu拡散バリア特性に優れた無電解めっき形成CoMn技術に関して紹介いたします。
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